光刻就是利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀将光掩膜上的图形转移到衬底上，是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤。光刻掩膜板的基本原理是利用光刻胶感光后发生光化学反应而具备耐蚀性的特点，将掩膜版上的图形刻制到被加工表面上。所以光刻机主要性能指标与光源及机器精度密切相关。

　　与光源相关的性能指标有：光源波长、光强均匀性。

　　与机器精度相关的性能指标有：光刻精度、曝光方式、对准精度